不同之處及分別適用于哪些應(yīng)用：碳化硅和氮化硅這兩種寬禁帶半導(dǎo)體材料之間也存在著諸多差異。

適用的電壓等特性不同目標(biāo)應(yīng)用不同：碳化硅適用的電壓范圍為650 V-3.3 kV,是1200V以上的高頻器件，同時(shí)兼有功率密度高的特點(diǎn)，有著廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，比如太陽(yáng)能逆變器、新能源汽車充電、軌道交通、燃料電池中的高速空氣壓縮機(jī)、DCDC和電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及數(shù)字化趨勢(shì)下的數(shù)據(jù)中心等等，這些都將成為碳化硅的應(yīng)用市場(chǎng)。英飛凌在這些市場(chǎng)向超過(guò)3000個(gè)客戶供應(yīng)碳化硅產(chǎn)品。

相對(duì)于碳化硅，氮化鎵適用的電壓范圍會(huì)低一些，從中壓80 V到650 V。不過(guò)它具有快速開(kāi)關(guān)頻率的特性，氮化鎵的開(kāi)關(guān)頻率可以達(dá)到MHz級(jí)，因此它適用于開(kāi)關(guān)頻率[敏感詞]的中等功率應(yīng)用，例如快充、數(shù)據(jù)中心等。

SiC/GaN增長(zhǎng)前景：一般來(lái)說(shuō)：碳化硅市場(chǎng)的增長(zhǎng)是強(qiáng)勁的。最初，需求主要由工業(yè)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)，例如太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車充電等，到現(xiàn)在，這一需求正日益被汽車應(yīng)用的高需求所超越。另一種非常有前途的半導(dǎo)體材料是氮化鎵。例如，在結(jié)構(gòu)緊湊、高性能和特別高效的充電系統(tǒng)領(lǐng)域，例如消費(fèi)類設(shè)備的充電器以及電信設(shè)備的電源裝置等應(yīng)用，特別顯現(xiàn)其優(yōu)勢(shì)。氮化鎵市場(chǎng)也將呈現(xiàn)高速增長(zhǎng)：從4700萬(wàn)美元（2020年）到8.01億美元（2025年）（CAGR：76%）。

英飛凌的主要產(chǎn)品：相對(duì)于友商，英飛凌的優(yōu)勢(shì)是同時(shí)擁有硅、氮化鎵、碳化硅三種主要的功率半導(dǎo)體技術(shù)，在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和各種應(yīng)用領(lǐng)域積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，這樣可以完全做到以客戶需求為導(dǎo)向，為其提供出色的產(chǎn)品和解決方案，從而滿足客戶獨(dú)特的應(yīng)用需求。

目前全球能源需求的三分之一左右是用電需求，能源需求的日益增長(zhǎng)，化石燃料資源的日漸耗竭，以及氣候變化等問(wèn)題，要求我們?nèi)ふ腋腔?、更高效的能源生產(chǎn)、傳輸、配送、儲(chǔ)存和使用方式。

在整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈中，第三代半導(dǎo)體技術(shù)的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的全球節(jié)能目標(biāo)做出很大貢獻(xiàn)。除此之外，寬禁帶產(chǎn)品和解決方案有利于提高效率、提高功率密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在交通、新能源發(fā)電、儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、家電、個(gè)人電子設(shè)備等等極為廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景中為能效提升做出貢獻(xiàn)。

例如在電力電子系統(tǒng)應(yīng)用中，一直期待1200V以上耐壓的高速功率器件出現(xiàn)，這樣的器件當(dāng)今非SiC MOSFET莫屬。

除高速之外，碳化硅還具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn)，尤其適合對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件要求較高的應(yīng)用。

功率密度是器件技術(shù)價(jià)值的另一個(gè)重要方面。SiC MOSFET芯片面積比IGBT小很多，譬如100A 1200V的SiC MOSFET芯片大小大約是IGBT與續(xù)流二級(jí)管之和的五分之一。因此，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，SiC MOSFET的價(jià)值能夠得到很好的體現(xiàn)，其中包括650V SiC MOSFET。

在耐高壓方面，1200V以上高壓的SiC高速器件，可以通過(guò)提高系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)頻率來(lái)提高系統(tǒng)性能，提高系統(tǒng)功率密度。這里舉兩個(gè)例子：

a) 碳化硅器件作為高壓、高速、大電流器件，簡(jiǎn)化了直流樁充電模塊電路結(jié)構(gòu)，提高單元功率等級(jí)，功率密度顯著提高，這為降低充電樁的系統(tǒng)成本鋪平了道路。

在電動(dòng)汽車直流充電樁的功率單元，如果采用Si MOSFET，則需要兩路串聯(lián)，而如果采用SiC MOSFET，單路就可以實(shí)現(xiàn)，從而大大提高充電樁的功率單元單機(jī)功率。

采用英飛凌的碳化硅單管，充電模塊的功率可以達(dá)到30千瓦以上。采用英飛凌的碳化硅模塊，充電模塊的功率可以達(dá)到60千瓦以上。而采用MOSFET/IGBT單管的設(shè)計(jì)還是在15-30千瓦水平。

b) 三相系統(tǒng)中的反激式輔助電源，1700V SiC MOSFET也是完美的解決方案。

在可靠性和質(zhì)量保證方面，SiC器件有平面柵和溝槽柵兩種類型，英飛凌的溝槽柵SiC MOSFET能很好地規(guī)避平面柵的柵極氧化層可靠性問(wèn)題，同時(shí)功率密度也更高。

正是由于SiC MOSFET這些出色的性能，其在光伏逆變器、UPS、ESS、電動(dòng)汽車充電、燃料電池、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域都有相應(yīng)的應(yīng)用。

然而，碳化硅是否會(huì)成為通吃一切應(yīng)用的[敏感詞]解決方案呢？

眾所周知，硅基功率半導(dǎo)體的代表——IGBT技術(shù)，在進(jìn)一步提升性能方面遇到了一些困難。開(kāi)關(guān)損耗與導(dǎo)通飽和壓降降低相互制約，降低損耗和提升效率的空間越來(lái)越小，于是業(yè)界開(kāi)始希望SiC能夠成為顛覆性的技術(shù)。但是，這樣的看法不是很全面。首先，以英飛凌為代表的硅基IGBT的技術(shù)也在進(jìn)步，伴隨著封裝技術(shù)的進(jìn)步，IGBT器件的性能和功率密度越來(lái)越高。同時(shí)，針對(duì)不同的應(yīng)用而開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品，可以做一些特別的優(yōu)化處理，從而提高硅器件在系統(tǒng)中的表現(xiàn)，進(jìn)而提高系統(tǒng)性能和性價(jià)比。因此，第三代半導(dǎo)體的發(fā)展進(jìn)程，必然是與硅器件相伴而行，在技術(shù)發(fā)展的同時(shí)，還有針對(duì)不同應(yīng)用的大規(guī)模商業(yè)化價(jià)值因素的考量，期望第三代器件很快在所有應(yīng)用場(chǎng)景中替代硅器件是不現(xiàn)實(shí)的。

在新能源汽車相關(guān)領(lǐng)域，續(xù)航里程和電池裝機(jī)量是關(guān)鍵，SiC技術(shù)能夠顯著的提升續(xù)航里程，或者相同續(xù)航里程下，降低電池裝機(jī)量和成本。因此，SiC正在越來(lái)越多地被采用，特別是在牽引主逆變器、車載充電機(jī)OBC以及高低壓DC-DC轉(zhuǎn)換器中。

SiC為上述應(yīng)用帶來(lái)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)：

牽引主逆變器：

• 提升電池利用率超過(guò)5%

• 更高功率密度可減小系統(tǒng)尺寸

• 輕載情況下具有更低導(dǎo)通損耗

• 比硅基IGBT更低的開(kāi)關(guān)損耗

• 對(duì)冷卻要求較低，被動(dòng)元件更少，進(jìn)而降低系統(tǒng)成本

車載充電機(jī)OBC及DCDC：

• 更快的開(kāi)關(guān)速度有助于減少被動(dòng)元件，從而提升功率密度，或者實(shí)現(xiàn)更小的尺寸。

• CoolSiC?車規(guī)級(jí)MOSFET在高速開(kāi)關(guān)的情況下具有業(yè)界[敏感詞]的開(kāi)關(guān)損耗

• 在PFC和DC-DC階段，車載充電機(jī)的效率可提升1%，因而冷卻要求更低。

• 在圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中支持雙向充電

這里需要強(qiáng)調(diào)的是，在未來(lái)數(shù)年中，不同的半導(dǎo)體技術(shù)將并存于市場(chǎng)中，在不同的應(yīng)用場(chǎng)景中分別具有特殊的優(yōu)勢(shì)。在牽引逆變器中，基于不同的里程、效率和成本考量，SiC和硅基IGBT各有各的發(fā)揮空間。例如，SiC用于后輪主牽引驅(qū)動(dòng)，可提升巡航里程；而硅基IGBT則用于前輪，以便優(yōu)化成本。在[敏感詞]情況下，例如車載充電機(jī)中，在同一架構(gòu)下，會(huì)同時(shí)采用多達(dá)五種不同的半導(dǎo)體技術(shù)，包括IGBT，硅基二極管、硅基MOSFET，超結(jié)MOSFET和SiC MOSFET。

英飛凌在汽車級(jí)碳化硅產(chǎn)品方面的布局：

英飛凌針對(duì)多種xEV系統(tǒng)已經(jīng)推出了廣泛的SiC的解決方案及全方位的車規(guī)級(jí)產(chǎn)品系列，包括CoolSiC?車用二極管、CoolSiC?車用MOSFET、全SiC模組的HybridPACK?Drive CoolSiC?等。

近期來(lái)看，我們?cè)?021年3月份發(fā)布了能提供業(yè)界[敏感詞]開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗的650V CoolSiC?Hybrid分立器件。與對(duì)應(yīng)的硅器件相比，它具有更高的可擴(kuò)展性，已廣泛用于多款車型。該器件在圖騰柱拓?fù)渲幸岳硐氲男詢r(jià)比完美契合了雙向充電的趨勢(shì)。

在5月份，英飛凌發(fā)布了用于牽引逆變器的HybridPack-Drive CoolSiC?產(chǎn)品。HybridPack-Drive系列產(chǎn)品的發(fā)貨量已超過(guò)一百萬(wàn)片，被用于全球超過(guò)20個(gè)汽車平臺(tái)。新的HybridPack-Drive CoolSiC?產(chǎn)品是市場(chǎng)上[敏感詞]經(jīng)過(guò)車規(guī)認(rèn)證的模組，與對(duì)應(yīng)的硅器件相比，可擴(kuò)展能力很強(qiáng)，可輕松覆蓋180kw功率段。該產(chǎn)品基于我們改進(jìn)的溝槽柵MOSFET技術(shù)，同時(shí)具備高可靠性和高性能的特點(diǎn)。該產(chǎn)品可用于800伏電池系統(tǒng)，具有2個(gè)可選擇的電流等級(jí)，并已在現(xiàn)代汽車（Hyundai）800V e-GMP平臺(tái)新款車型Ioniq 5上投入使用。

英飛凌的Si和SiC產(chǎn)品線均具有很高的可擴(kuò)展性，這是我們區(qū)別于其他品牌的重要特征。用戶可根據(jù)需要在我們的Si和SiC產(chǎn)品線中自由選擇不同的封裝、電壓等級(jí)、功率等級(jí)，總而實(shí)現(xiàn)很高的設(shè)計(jì)靈活性，加速產(chǎn)品上市進(jìn)程，降低設(shè)計(jì)難度。這一特點(diǎn)在諸如電動(dòng)汽車之類的快速變化的市場(chǎng)上，是客戶非常重視的考量因素。此外，我們產(chǎn)品高效率特性幫助客戶實(shí)現(xiàn)了提升電動(dòng)車?yán)m(xù)航里程的設(shè)計(jì)目標(biāo)。

下圖為英飛凌汽車級(jí)CoolSiCTM產(chǎn)品的列表

充電樁：關(guān)于充電樁的部分，請(qǐng)參考第3個(gè)提問(wèn)

基于碳化硅技術(shù)，有助于這種電力電子變壓器直接將10千伏的市電轉(zhuǎn)化成380伏的直流。就當(dāng)前實(shí)際已經(jīng)開(kāi)始使用的案例來(lái)看，供電效率能夠提升到95%以上，而直流配網(wǎng)的效率也可以提升到97%以上，所以相信在這一領(lǐng)域，未來(lái)在2022年也會(huì)有更多長(zhǎng)足的發(fā)展和驗(yàn)證。在這一進(jìn)程中，我們也非常期待用英飛凌先進(jìn)的碳化硅技術(shù)，保障數(shù)據(jù)中心的供電連續(xù)性和安全性。

氮化鎵落地的技術(shù)挑戰(zhàn)及英飛凌的解決方案：作為功率開(kāi)關(guān)器件的硅基氮化鎵在商用化的進(jìn)程中，除了性能和價(jià)格，最引起關(guān)注的話題是長(zhǎng)期可靠性。目前氮化鎵開(kāi)關(guān)器件絕大多數(shù)都是在硅襯底上生長(zhǎng)氮化鎵，并以二維電子氣作為溝道的GaN HEMT。從2010年IR發(fā)布的業(yè)界[敏感詞]款硅基氮化鎵開(kāi)關(guān)器件到現(xiàn)在，整個(gè)業(yè)界對(duì)硅基氮化鎵的研究可以說(shuō)已經(jīng)很深入了，但真正大規(guī)模的應(yīng)用還是在最近幾年的事。相對(duì)而言，硅乃至碳化硅在市場(chǎng)上運(yùn)行的時(shí)間要長(zhǎng)得多，現(xiàn)存器件數(shù)量也大得多，因此氮化鎵相對(duì)其他兩種材料而言，可供分析的失效案例要少很多。這也是消費(fèi)類的快充成為氮化鎵快速成長(zhǎng)引擎的其中一個(gè)原因。另外，因?yàn)楣杌壋〉募纳鷧?shù)，使其為用戶帶來(lái)極低開(kāi)關(guān)損耗的優(yōu)勢(shì)之外，也大大提高了驅(qū)動(dòng)此類器件的難度。

英飛凌很早就將著眼點(diǎn)放在硅基氮化鎵可靠性的研究實(shí)踐上，并在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)之上增加了多重措施，確保我們生產(chǎn)的硅基氮化鎵的長(zhǎng)期可靠性遠(yuǎn)高于市場(chǎng)平均水平。另外，硅基氮化鎵的長(zhǎng)期可靠性與器件在其應(yīng)用場(chǎng)景中的電壓擺幅、開(kāi)關(guān)頻率、占空比、溫度等等都高度相關(guān)。因此我們建議用戶在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，與硅基氮化鎵供應(yīng)商的技術(shù)支持人員就具體應(yīng)用場(chǎng)景做深度交流，以對(duì)長(zhǎng)期可靠性做出評(píng)估。在器件驅(qū)動(dòng)方面，英飛凌開(kāi)發(fā)了專用的氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，減輕了用戶設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)的壓力。

• 今天，英飛凌引領(lǐng)著SiC的工業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)，并以業(yè)界最廣泛和最可擴(kuò)展的產(chǎn)品組合成功地推動(dòng)SiC在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用。公司直接或通過(guò)分銷向3,000多個(gè)客戶供貨。20多年來(lái)，碳化硅（SiC）對(duì)英飛凌來(lái)說(shuō)一直很重要。早在2001年，我們就已經(jīng)在市場(chǎng)上推出了基于SiC的產(chǎn)品和解決方案。

• 在去年10月份的資本市場(chǎng)日上，英飛凌提出了對(duì)碳化硅和氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)的展望。英飛凌預(yù)計(jì)，本財(cái)年碳化硅業(yè)務(wù)將增長(zhǎng)90%，到2025年左右銷售額將達(dá)到10億美元，占有30%的市場(chǎng)份額。

• 為了確保供應(yīng)的可靠性，英飛凌依靠廣泛的供應(yīng)商網(wǎng)絡(luò)和與不同合作伙伴的共同努力。

• 英飛凌還宣布，將投資20多億歐元在居林建立一個(gè)廠區(qū)，主要生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體。我們還將繼續(xù)擴(kuò)大菲拉赫的產(chǎn)能。

• 2018年，英飛凌戰(zhàn)略性地收購(gòu)了Siltectra公司的晶圓和晶錠切割技術(shù)，通過(guò)大幅減少SiC生產(chǎn)過(guò)程中的原材料損耗來(lái)提高產(chǎn)出，從而提升了我們的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

當(dāng)然，我們可能在市面上看到一些定價(jià)接近硅基半導(dǎo)體的第三代半導(dǎo)體器件，但并不代表它的成本就接近硅基半導(dǎo)體，那是一種商業(yè)行為，就是通過(guò)低定價(jià)來(lái)催生這個(gè)市場(chǎng)。以目前的工藝來(lái)講，第三代半導(dǎo)體的成本還是遠(yuǎn)高于硅基半導(dǎo)體。

在可預(yù)見(jiàn)的將來(lái)，基本上硅基半導(dǎo)體還是會(huì)占據(jù)大部分市場(chǎng)。碳化硅主要用在高功率、高電壓的場(chǎng)景。氮化鎵則主要是用在追求超高頻率的場(chǎng)景，手機(jī)快充就是一個(gè)很顯著的例子。

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