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快恢復二極管的內(nèi)部結構與普通二極管不同,它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄,反向恢復電荷很小,不僅大大減小了trr值,還降低了瞬態(tài)正向壓降,使管子能承受很高的反向工作電壓??旎謴投O管的反向恢復時間一般為幾百納秒,正向壓降約為0.6V,正向電流是幾安培至幾千安培,反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。
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