核心觀點(diǎn)：

2021 年功率半導(dǎo)體有望迎來高景氣周期。 2018 年，在電動(dòng)汽車需求快速增長(zhǎng)拉 動(dòng)下及其他芯片需求擠占 8 英寸產(chǎn)能的背景下，功率半導(dǎo)體經(jīng)歷了一輪缺貨漲 價(jià)；2019 年受到智能手機(jī)下滑、傳統(tǒng)汽車下滑、電動(dòng)汽車平穩(wěn)發(fā)展的影響，功 率半導(dǎo)體表現(xiàn)平淡；2020 年受疫情影響，上半年功率半導(dǎo)體需求不佳，但是三 季度之后，受到 5G電源、智能手機(jī)、工業(yè)、電動(dòng)汽車及 IOT 設(shè)備等拉動(dòng)，需求 上升明顯，海外疫情影響了國(guó)外廠商的產(chǎn)能供給，部分產(chǎn)品出現(xiàn)了缺貨漲價(jià)的 情況，我們研判在多重需求的驅(qū)動(dòng)下，2021 年功率半導(dǎo)體將迎來高景氣周期。

行業(yè)觀點(diǎn)

2021 年需求增長(zhǎng)+漲價(jià)+國(guó)產(chǎn)替代，功率半導(dǎo)體迎來發(fā)展良機(jī)：受到全球新冠疫 情影響，2020 年全球功率半導(dǎo)體將出現(xiàn)下滑，QYResearch 預(yù)測(cè) 2020 年同比下滑 9.1％，2021 年有望在 5G手機(jī)、電動(dòng)汽車及 IOT 的需求帶動(dòng)下同比增長(zhǎng) 8.1%。 2020 年 Q4，英飛凌、意法半導(dǎo)體、Diodes 的安森美功率半導(dǎo)體產(chǎn)品交貨期普遍 延長(zhǎng)，部分 MOSFET 產(chǎn)品漲價(jià)趨勢(shì)明顯，尤以英飛凌最為嚴(yán)重，國(guó)產(chǎn)品牌也出 現(xiàn)了缺貨漲價(jià)的情況，MOSFET 價(jià)格普遍上漲，漲幅在 10-20%。2019 年中國(guó)已 發(fā)展成為全球[敏感詞]大功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，占全球比達(dá) 35.9%，但自給率較低，以 IGBT 為例，2019 年自給率僅為 16.3%。我們認(rèn)為，2021 年，功率半導(dǎo)體將在需 求增長(zhǎng)+漲價(jià)+國(guó)產(chǎn)替代的利好驅(qū)動(dòng)下迎來發(fā)展良機(jī)，產(chǎn)業(yè)鏈積極受益。

新能源汽車蓬勃發(fā)展，IGBT 需求快速增長(zhǎng)。新能源汽車迎來高速增長(zhǎng)期，2020 年 11 月，新能源汽車產(chǎn)銷分別完成 19.8 萬輛和 20 萬輛，同比分別增長(zhǎng) 75.1%和 104.9%。預(yù)測(cè) 2025 年全球新能源汽車有望達(dá)到 1100 萬輛，中國(guó)占 50%。新能 源汽車需要新增大量的功率半導(dǎo)體，48V 輕混汽車需要增加 90 美元以上，電動(dòng) 汽車或者混動(dòng)需要增加 330 美元以上。預(yù)計(jì)汽車用 IGBT 模塊 2018 年-2023 年 復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá) 23.5%。汽車功率半導(dǎo)體難度較大，集中度高，歐、美系廠商 占據(jù)核心優(yōu)勢(shì)，2019 年全球[敏感詞]大公司為英飛凌，市占率 25.5%，第二大公司 為意法半導(dǎo)體，市占率 13.9%，前五家公司合計(jì)占比 62.1%，集中度較高。中國(guó) 企業(yè)在汽車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域基礎(chǔ)薄弱，但是近幾年中國(guó)電動(dòng)汽車發(fā)展較快，也帶 動(dòng)了 IGBT 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2019 年英飛凌在中國(guó)新能源汽車 IGBT 領(lǐng)域排名[敏感詞]， 占比高達(dá) 49.3%，其次是比亞迪，主要給自己配套，占比 20%，斯達(dá)半導(dǎo)體位居 第三，市占率達(dá)到 16.6%，成長(zhǎng)較快。

第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)異，需求多點(diǎn)開花。 SiC 主要應(yīng)用于白色家電、新能源（電 動(dòng)汽車、風(fēng)電、光伏）、工業(yè)應(yīng)用，預(yù)測(cè) 2027 年碳化硅功率器件的市場(chǎng)規(guī)模將 超過 100 億美元。 在車用方面，SiC MOSFET 在性能方面明顯占優(yōu)，可以降低 損耗，減小模塊體積重量。Model 3 率先采用 SiC MOSFET，開啟了電動(dòng)汽車使 用 SiC 先河，2020 年比亞迪漢也采用 SiC 模塊，有效提升了加速性能、功率及 續(xù)航能力，豐田燃料電池車 Mirai 車型搭載了 SiC，功率模塊體積降低了 30%， 損耗降低了 70%。我們認(rèn)為，隨著成本的下降和技術(shù)的逐步成熟，SiC 在電動(dòng)汽 車中具有較好的應(yīng)用空間。

重點(diǎn)企業(yè)：斯達(dá)半導(dǎo)、華虹半導(dǎo)體、華潤(rùn)微、士蘭微、新潔能。

風(fēng)險(xiǎn)提示：電動(dòng)汽車發(fā)展不達(dá)預(yù)期，智能手機(jī)銷量不達(dá)預(yù)期，5G進(jìn)度低于預(yù)期。

一、應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展穩(wěn)健

1.1 全球功率半導(dǎo)體 2019-2025 年均增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)為 4.3%

功率半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于各類電子類產(chǎn)品，2019 年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為 175 億美元，Yole 預(yù)測(cè)，2025 年市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)為 225 億美元，2019-2025 年 均增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)為 4.3%。

2019 年到 2025 年 IGBT 模組整體年均增長(zhǎng)率為 18%。受益于新能源（電 動(dòng)汽車、風(fēng)電及光伏）及工控行業(yè)的快速發(fā)展，預(yù)測(cè)在 2025 年，IGBT 模 組整體將會(huì)達(dá)到 54 億美元，占整個(gè)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的 24%。

車載領(lǐng)域占比[敏感詞]，電機(jī)次之。2019 年車載方向（包括 EV、HEV，硅 MOSFET）為 15 億美元，電機(jī)驅(qū)動(dòng)（Motor Drive，IGBT 模組）為 14 億美 元，智能手機(jī)以及無線設(shè)備（硅 MOSFET）為 13 億美元，計(jì)算機(jī)技術(shù) （Computing）以及存儲(chǔ)（硅 MOSFET）為 12 億美元，工業(yè)方向（硅 MOSFET）為 11 億美元，EV、HEV方向（IGBT 模組）為 6 億美元（其他 為 104 億美元。從各種元件在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)上的占比（金額）來看，硅 MOSFET 占 45%。另一個(gè)主要元件是 IGBT 模組，2019 年的市場(chǎng)規(guī)模為 37 億美元。在工業(yè)、能源再生型變頻器、EV、HEV 方向的應(yīng)用頗受人們關(guān)注 （尤其是 EV、HEV作為[敏感詞]的一項(xiàng)應(yīng)用方向）。

? 車用 SiC MOSFET 快速增長(zhǎng)。由于美國(guó)特斯拉、中國(guó)比亞迪等車廠的需 求，硅制模組正在逐步取代作為主變頻器（Main Inverter）的 IGBT 模組， 據(jù)預(yù)測(cè)，SiC MOSFET 的市場(chǎng)也因 EV、HEV的增長(zhǎng)而會(huì)出現(xiàn)增長(zhǎng)。SiC 離 散晶體管作為高效的車載充電器系統(tǒng)，未來會(huì)與 MOSFET 形成競(jìng)爭(zhēng)。

1.2 中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模居全球首位，國(guó)內(nèi)龍頭公司快速發(fā)展

2019 年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占比全球達(dá) 35.9%：中國(guó)是全球[敏感詞]的功率器 件消費(fèi)國(guó)，功率器件細(xì)分的主要幾大產(chǎn)品在中國(guó)的市場(chǎng)份額均處于[敏感詞] 位。

國(guó)內(nèi)龍頭全球市占率依舊很低，與國(guó)際大廠差距明顯：與整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 類似，對(duì)比海外的功率器件 IDM 大廠，國(guó)內(nèi)的功率器件龍頭企業(yè)（華潤(rùn) 微、斯達(dá)半導(dǎo)體、新潔能、揚(yáng)杰科技、華微電子、士蘭微等）的年銷售額 與國(guó)際巨頭們相差很大，且產(chǎn)品結(jié)構(gòu)偏低端，表明中國(guó)功率器件的市場(chǎng)規(guī) 模與自主化率嚴(yán)重不相匹配，國(guó)產(chǎn)替代的空間巨大，目前，中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在快速發(fā)展，聞泰科技收購(gòu)了安世半導(dǎo)體，斯達(dá)半導(dǎo)體、華潤(rùn) 微、新潔能等一批功率半導(dǎo)體企業(yè)陸續(xù)上市，正在發(fā)展壯大。

二、需求拉動(dòng)，2021 年功率半導(dǎo)體迎來高景氣周期

2.1 國(guó)際功率半導(dǎo)體大廠交貨期延長(zhǎng)

2020 年 Q4，英飛凌的 MOSFET、IGBT 等產(chǎn)品交貨期普遍有延長(zhǎng)的情況， 最長(zhǎng)交期高達(dá) 30 周，其中低壓、高壓 MOSFET 及軍用航空晶體管價(jià)格有 上漲的趨勢(shì)。意法半導(dǎo)體的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品交貨期呈現(xiàn)全面延長(zhǎng)的趨勢(shì)， 價(jià)格方面保持平穩(wěn)。

2020 年 Q4，Diodes 的 MOSFET 及晶體管產(chǎn)品交貨期延長(zhǎng)，最長(zhǎng)交貨周期 達(dá)到 20 周，低壓 MOSFET 價(jià)格有上漲趨勢(shì)。安森美的功率系列產(chǎn)品交貨 期延長(zhǎng)，其中高低壓 MOSFET 產(chǎn)品價(jià)格呈現(xiàn)上漲趨勢(shì)。

2.2 功率半導(dǎo)體 MOSFET漲價(jià)趨勢(shì)明顯

MOSFET 漲價(jià)幅度在 10-20%。根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研信息，2020 年 11-12 月， 海外品牌都缺貨，尤以英飛凌最為嚴(yán)重，國(guó)產(chǎn)品牌也出現(xiàn)了缺貨漲價(jià)的情 況，市場(chǎng)上的 MOSFET 價(jià)格普遍上漲，幅度在 10-20%之間。

中國(guó)是 MOSFET 需求大國(guó)，但進(jìn)口依賴度高。根據(jù) IHS 數(shù)據(jù)，2019 年全 球 MOSFET 市場(chǎng)規(guī)模為 76 億美元，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占比達(dá)到 39% 。而從 MOSFET 市場(chǎng)格局來看，英飛凌、安森美、東芝、ST 以及瑞薩合計(jì)占據(jù)了 61%的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額。國(guó)際大廠供應(yīng)不足，缺貨現(xiàn)象表現(xiàn)明顯。

需求激增，8 英寸產(chǎn)能不足造成缺貨漲價(jià)。汽車電動(dòng)化給 MOSFET 帶來巨 大的增量，下游電子整機(jī)對(duì)節(jié)能環(huán)保的需求在拉動(dòng)其需求量增長(zhǎng)的同時(shí)， 也帶動(dòng)了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的快速升級(jí)。5G 商用化進(jìn)程的開始，推動(dòng) MOSFET 的 需求量成倍增長(zhǎng)。在充電樁電源和 5G 通訊電源領(lǐng)域，預(yù)測(cè)需求在今年成 長(zhǎng)了 20-30%。電腦、家電、快充這種在上半年被壓抑的需求逐步釋放出 來。從供給端來看，MOSFET 主要依靠 8 英寸及 6 英寸晶圓代工，12 寸以 下占比超過 80%。根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研信息，目前各大晶圓代工廠的 8 英寸產(chǎn) 能已經(jīng)爆滿，如國(guó)內(nèi) 8 英寸代工廠如華虹、華潤(rùn)微產(chǎn)能利用率均接近滿 載，聯(lián)電的 8 英寸晶圓代工產(chǎn)能更是滿載到 2021 年下半年。

Diodes（美臺(tái)）2021 年 1 月 1 日起部分產(chǎn)品開始漲價(jià)。Diodes（美臺(tái)）在 給客戶的提價(jià)通知中表示，受新冠疫情影響，公司面臨來自供應(yīng)商的成本 增加和交貨期延長(zhǎng)的挑戰(zhàn)，鑒于此，將于 2021 年 1 月 1 日起對(duì)調(diào)漲部分產(chǎn) 品價(jià)格。

士蘭微 SGT MOS 產(chǎn)品提漲 20%。12 月 9 日，杭州士蘭微電子表示，由于 MOS 圓片及封裝材料價(jià)格上漲，同時(shí)受產(chǎn)能的影響，我司相關(guān)產(chǎn)品的成本 不斷上升，為了保證產(chǎn)品的供應(yīng)，保持良好的業(yè)務(wù)關(guān)系，經(jīng)公司慎重研究 決定，從即日起（2020 年 12 月 9 日），我司 SGT MOS 產(chǎn)品的價(jià)格本月提 漲 20%。

新潔能 2021年 1月 1日起部分產(chǎn)品價(jià)格調(diào)漲。2020 年 12 月 21 日，無錫新 潔能同樣給客戶發(fā)布了價(jià)格調(diào)整通知函，通知函表示，由于上游原材料以 及封裝成本持續(xù)上漲，且產(chǎn)能緊張、投產(chǎn)周期延長(zhǎng)，產(chǎn)品成本大幅增加， 原有價(jià)格難以滿足供貨需求。

2021 年功率半導(dǎo)體有望迎來高景氣周期。2018 年，在電動(dòng)汽車需求快速增 長(zhǎng)拉動(dòng)下及其他芯片需求擠占 8 英寸產(chǎn)能的背景下，功率半導(dǎo)體經(jīng)歷了一 輪缺貨漲價(jià)；2019 年受到智能手機(jī)下滑、傳統(tǒng)汽車下滑、電動(dòng)汽車平穩(wěn)發(fā) 展的影響，功率半導(dǎo)體表現(xiàn)平淡；2020 年受疫情影響，上半年功率半導(dǎo)體 需求不佳，但是三季度之后，受到 5G 電源、智能手機(jī)、快充、工業(yè)、電 動(dòng)汽車及 IOT 設(shè)備等拉動(dòng)，需求上升明顯，部分產(chǎn)品出現(xiàn)了缺貨漲價(jià)的情 況，我們研判 2021 年功率半導(dǎo)體將迎來高景氣周期。

三、電動(dòng)汽車需求旺盛+多領(lǐng)域需求驅(qū)動(dòng)+國(guó)產(chǎn)替代，IGBT前景可期

3.1 IGBT-功率器件皇冠上的明珠，電力電子裝置和系統(tǒng)中的 CPU

IGBT 是一個(gè)工作原理復(fù)雜的集成功率半導(dǎo)體器件。結(jié)構(gòu)上, IGBT 幾乎集成 了半導(dǎo)體器件的所有基本結(jié)構(gòu)，如二極管、BJT 、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 JFET，MOSFET， SCR。IGBT 的結(jié)構(gòu)參數(shù)發(fā)生變化，將引起其性能發(fā)生 相應(yīng)的變化。工藝技術(shù)上，IGBT 利用 MOS 集成電路工藝進(jìn)行大面積的功 率集成，設(shè)計(jì)上表現(xiàn)為單元胞尺寸的縮小，并聯(lián)集成的元胞數(shù)量越多，通 態(tài)壓降 (導(dǎo)通損耗) 逐漸減小。

IGBT 的技術(shù)發(fā)明已經(jīng)有 30 多年，主要經(jīng)歷 6 代技術(shù)及工藝改進(jìn)。從結(jié)構(gòu) 上講，IGBT 可以分為縱向結(jié)構(gòu)、IGBT 柵極結(jié)構(gòu)、硅片加工工藝，主要發(fā) 展趨勢(shì)是降低損耗。

IGBT適用于高壓領(lǐng)域：IGBT 是由 BJT 和 MOSFET 組成的復(fù)合功率半導(dǎo) 體器件，既有 MOSFET 的開關(guān)速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電 路簡(jiǎn)單、開關(guān)損耗小的優(yōu)點(diǎn)，又有 BJT 導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小 的優(yōu)點(diǎn)，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的，因而 是電力電子領(lǐng)域較為理想的開關(guān)器件，是未來應(yīng)用發(fā)展的主要方向。IGBT 穩(wěn)定性比 MOSFET 稍差，強(qiáng)于 BJT，但 IGBT 耐壓比 MOSFET 容易做高， 不易被二次擊穿而失效，易于高壓應(yīng)用領(lǐng)域。

作為工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心器件，IGBT 模塊在電機(jī)節(jié)能、軌道交 通、智能電網(wǎng)、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽 車等諸多領(lǐng) 域都有廣泛的應(yīng)用。隨著新能源汽車的發(fā)展以及變頻白色家電 的普及，IGBT 的市場(chǎng)熱度持續(xù)升溫。它不僅在工業(yè)應(yīng)用中提高了設(shè)備的自 動(dòng)化水平、控制精度等，也大幅提高了電能的應(yīng)用效率，同時(shí)減小了產(chǎn)品 體積和重量，節(jié)約了材料。

IGBT 在 600V以上具有較強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)，目前可應(yīng)用于 6500V 高壓，在高壓領(lǐng) 域，SiC MOSFET 是 IGBT 的競(jìng)爭(zhēng)者，但是目前還存在成本高的情況。

隨著應(yīng)用的不斷升級(jí)，對(duì) IGBT 芯片及模塊也提出了新的要求，要求芯片 縮小面積、實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)，要求 IGBT 承載更高的電壓和電流，并且具有 低損耗和高可靠等特性。

汽車級(jí)功率模塊要求更高的電氣運(yùn)行可靠性、更高的壽命、更好的節(jié)能 性、抗干擾性強(qiáng)、并要求重量輕、緊湊等。

為了應(yīng)對(duì)各種應(yīng)用需求，功率模塊封裝技術(shù)也在不斷發(fā)展，主要表現(xiàn)為 Si 器件新技術(shù)，降低熱阻，新的芯片焊接方式、雙面散熱、提高集成化等。

3.2 新能源汽車是 IGBT模塊增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力

新能源車功率半導(dǎo)體價(jià)值量大幅增加：新增功率器件價(jià)值量主要來自于汽 車的“三電”系統(tǒng)，包括電力控制，電力驅(qū)動(dòng)和電池系統(tǒng)。在動(dòng)力控制單 元中，IGBT 或者 SiC 模塊將高壓直流電轉(zhuǎn)換為驅(qū)動(dòng)三相電機(jī)的交流電；在 車載充電器 AC/DC 和 DC/DC 直流轉(zhuǎn)換器中，都會(huì)用到 IGBT 或者 SiC、 MOS、SBD 單管；在電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、水泵、油泵、PTC、空調(diào)壓縮機(jī)等高 壓輔助控制器中都會(huì)用到 IGBT 單管或者模塊；在 ISG 啟停系統(tǒng)、電動(dòng)車 窗雨刮等低壓控制器中都會(huì)用到 MOS 單管。

? （1）電動(dòng)調(diào)速系統(tǒng)：功率器件在新能源車電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)中，主要有兩種形 式：用于直流電動(dòng)機(jī)的斬波器和交流電機(jī)的逆變器。（1）斬波器：對(duì)于直 流電動(dòng)機(jī)調(diào)速系統(tǒng)，一般采用斬波器，其功率電路比較簡(jiǎn)單，效率也比較 高。隨著功率器件的發(fā)展，斬波器的頻率可做到幾千赫茲，因而很適合用 作直流牽引調(diào)速。新能源車采用直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)，無論是串勵(lì)電機(jī)，還是他 勵(lì)電機(jī)，都采用斬波器作為功率變換器。斬波器的功率器件多采用 MOSFET 和 BJT。（2）逆變器在 DC/DC 變換方式中，一般采用直流斬波 器加逆變器和 DC/DA逆變器兩種方式。由于新能源車的電源電壓低，采用 前種方式，傳輸能量環(huán)節(jié)過多，會(huì)降低整個(gè)系統(tǒng)的效率。而采用 PWM 電 壓型逆變器，則線路簡(jiǎn)單、環(huán)節(jié)少、效率高。另外，現(xiàn)在還出現(xiàn)了諧振直 流環(huán)節(jié)變換器和高頻諧振交流環(huán)節(jié)變換器。由于采用零電壓或零電流開關(guān) 技術(shù)，諧振式變換器具有開關(guān)損耗小、電磁干擾小、低噪聲、高功率密度 和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。

? （2）能量轉(zhuǎn)換器：新能源車能量轉(zhuǎn)換器的主要部件是功率器件。目前常用 的功率器件有 CTO、BJT、MOSFET、IGBT、SITSITH、MCT，其中 CTO、MCT 具有高開關(guān)速度、高能量傳輸能力、優(yōu)越的動(dòng)態(tài)特性及高可靠 性，很適合于電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)，同時(shí)功率器件能影響到能量轉(zhuǎn)換器的結(jié)構(gòu)。 直—直流及直—交流轉(zhuǎn)換器各自應(yīng)用于直流電動(dòng)機(jī)和交流電動(dòng)機(jī)。

? （3）車載充電裝置：發(fā)展車載充電器是發(fā)展新能源汽車的必要條件, 因?yàn)?它能將交流電網(wǎng)的電能有效地補(bǔ)充到每輛電動(dòng)汽車的蓄電池中。充電器的 功能就是將交流電變?yōu)橹绷麟? 這就需要使用 IGBT等功率器件。新能源汽 車對(duì)這些功率器件提出新的要求，不僅要求恒流恒壓二段式充電，還要求高效、輕量，有自檢及自動(dòng)充電等多種保護(hù)功能，并且能程控設(shè)定充電時(shí) 間曲線、監(jiān)視電池溫度, 對(duì)電網(wǎng)無污染等。

? （4）充電樁：作為新能源汽車必不可少的基礎(chǔ)配套設(shè)施，我國(guó)充電樁行業(yè) 也正處于高速增長(zhǎng)的建設(shè)期，未來市場(chǎng)空間廣闊。Infineon 統(tǒng)計(jì) 100 kW 的 充電樁需要的功率器件價(jià)值量在 200-300 美元，而 IGBT 模塊是充電樁的 核心器件。

? 不同電動(dòng)化汽車所需要的功率半導(dǎo)體器件數(shù)量不同，隨著純電動(dòng)車型的增 多，汽車功率半導(dǎo)體器件將迎來量?jī)r(jià)齊升。

? 根據(jù) Infineon 數(shù)據(jù)，2020 年，48V 輕混汽車需要增加 90 美元功率半導(dǎo) 體，電動(dòng)汽車或者混動(dòng)需要增加 330 美元功率半導(dǎo)體。

? 2019 年，全球電動(dòng)汽車達(dá)到 221 萬輛，同比增長(zhǎng) 10%，中國(guó)新能源汽車銷 售 120.6 萬輛，同比下降了 4.0%。

? 2020 年 11 月，新能源汽車產(chǎn)銷分別完成 19.8 萬輛和 20 萬輛，同比分別增 長(zhǎng) 75.1%和 104.9%。2020 年 1-11 月，新能源汽車產(chǎn)銷分別完成 111.9 萬輛 和 110.9 萬輛，其中產(chǎn)量同比下降 0.1%，銷量同比增長(zhǎng) 3.9%。

? 彭博新能源財(cái)經(jīng)（BloombergNEF）預(yù)測(cè)，2025 年全球新能源汽車有望達(dá)到 1100 萬輛，中國(guó)占 50%，2030 年有望達(dá)到 2800 萬輛，2040 年將達(dá)到 5600 萬輛。屆時(shí)，電動(dòng)汽車銷量將占到全部新車銷量的 57％。

? 汽車功率半導(dǎo)體難度較大，集中度高，歐、美系廠商占據(jù)核心優(yōu)勢(shì)。2019 年，全球汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)達(dá)到 372 億美元，英飛凌位居[敏感詞]，市占率 13.4%，前五家公司合計(jì)占比 49.1%。汽車功率半導(dǎo)體全球[敏感詞]大公司為英 飛凌，市占率 25.5%，第二大公司為意法半導(dǎo)體，市占率 13.9%，前五家公 司合計(jì)占比 62.1%，集中度較高。

? 斯達(dá)半導(dǎo)體快速崛起。中國(guó)汽車在汽車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域基礎(chǔ)薄弱，發(fā)展速 度慢，但是近幾年中國(guó)電動(dòng)汽車發(fā)展較快，也帶動(dòng)了 IGBT 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 根據(jù)佐思汽研數(shù)據(jù)，按照銷量數(shù)據(jù)，2019 年英飛凌在中國(guó)新能源汽車 IGBT 領(lǐng)域排名[敏感詞]，占比高達(dá) 49.3%，其次是比亞迪，主要給自己配套， 占比 20%，斯達(dá)半導(dǎo)體位居第三，市占率達(dá)到 16.6%。

3.3 工業(yè)控制、新能源、家電變頻等領(lǐng)域推動(dòng) IGBT穩(wěn)定增長(zhǎng)

功率半導(dǎo)體器件在電源管理行業(yè)應(yīng)用越來越廣泛，未來工控、新能源、變 頻家電、數(shù)據(jù)中心、5G、IOT 等領(lǐng)域?qū)⑹枪β拾雽?dǎo)體器件快速增長(zhǎng)的核心 領(lǐng)域，IGBT 需求量將持續(xù)增加。

3.3.1 工業(yè)控制是 IGBT[敏感詞]大應(yīng)用領(lǐng)域，需求穩(wěn)健增長(zhǎng)

? IGBT 模塊是變頻器、逆變焊機(jī)等傳統(tǒng)工業(yè)控制及電源行業(yè)的核心元器件， 且已在此領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。隨著工業(yè)控制及電源行業(yè)市場(chǎng)的逐步回 暖，預(yù)計(jì) IGBT 模塊在此領(lǐng)域的市場(chǎng)規(guī)模亦將得到逐步擴(kuò)大。

? 1）變頻器行業(yè) ：IGBT 模塊在變頻器中不僅起到傳統(tǒng)的三極管的作用，亦 包含了整流部分的作用?？刂破鳟a(chǎn)生的正弦波信號(hào)通過光藕隔離后進(jìn)入 IGBT，IGBT 再根據(jù)信號(hào)的變化將 380V（220V）整流后的直流電再次轉(zhuǎn)化 為交流電輸出。

? 我國(guó)變頻器行業(yè)的市場(chǎng)規(guī)?？傮w呈上升態(tài)勢(shì)。變頻器已進(jìn)入新能源領(lǐng)域， 在冶金、煤炭、石油化工等工業(yè)領(lǐng)域?qū)⒈３址€(wěn)定增長(zhǎng)，在城市化率提升的 背景下，變頻器在市政、軌道交通等公共事業(yè)領(lǐng)域的需求也會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)， 從而促進(jìn)市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)大。未來幾年，具有高效節(jié)能功能的高壓變頻器市場(chǎng) 將受政策驅(qū)動(dòng)持續(xù)增長(zhǎng)，到 2023 年，高壓變頻器的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 175 億 元左右。

? 2）逆變焊機(jī)行業(yè)：逆變式弧焊電源，又稱弧焊逆變器，是一種新型的焊接 電源。這種電源一般是將三相工頻（50 赫茲）交流網(wǎng)路電壓，先經(jīng)輸入整 流器整流和濾波，變成直流，再通過大功率開關(guān)電子元件（IGBT）的交替 開關(guān)作用，逆變成幾千赫茲至幾萬赫茲的中頻交流電壓，同時(shí)經(jīng)變壓器降 至適合于焊接的幾十伏電壓，后再次整流并經(jīng)電抗濾波輸出相當(dāng)平穩(wěn)的直 流焊接電流。

? 根據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局?jǐn)?shù)據(jù)，2018 年我國(guó)電焊機(jī)產(chǎn)量為 853.3 萬臺(tái)，同比 2017 年 增加了 58.46 萬臺(tái)。電焊機(jī)市場(chǎng)持續(xù)升溫亦將保證 IGBT 需求量逐步增大。

3.3.2 光伏風(fēng)力發(fā)電量快速增長(zhǎng)，IGBT迎新增長(zhǎng)動(dòng)力

? 由于新能源發(fā)電輸出的電能不符合電網(wǎng)要求，需通過光伏逆變器或風(fēng)力發(fā) 電逆變器將其整流成直流電，再逆變成符合電網(wǎng)要求的交流電后輸入并 網(wǎng)。IGBT 模塊是光伏逆變器和風(fēng)力發(fā)電逆變器的核心器件，新能源發(fā)電行 業(yè)的迅速發(fā)展將成為 IGBT 模塊行業(yè)持續(xù)增長(zhǎng)的又一動(dòng)力。 2015 年全球發(fā) 電量 6414 GW，預(yù)計(jì) 2025 年全球發(fā)電量將達(dá)到 8647 GW，10 年 CAGR 為 3.0%，其中可再生能源發(fā)電量增速較快，CAGR 達(dá)到 5.9%；進(jìn)一步細(xì)分， 太陽(yáng)能發(fā)電和風(fēng)能發(fā)電量的增速要高于可再生能源發(fā)電量的復(fù)合增速，太 陽(yáng)能發(fā)電量 15-25 年 CAGR 為 16.4%，風(fēng)能發(fā)電量 CAGR 為 8.8%，遠(yuǎn)高 于行業(yè)的平均增速。從地區(qū)來看，風(fēng)電增長(zhǎng)較快地區(qū)包括中國(guó)，歐洲和美 國(guó)，而太陽(yáng)能發(fā)電增長(zhǎng)較快地區(qū)則有中國(guó)，歐洲，美國(guó)和其他亞太地區(qū)。

風(fēng)電：風(fēng)電主要是中國(guó)美國(guó)在積極發(fā)展，從中長(zhǎng)期來看，風(fēng)力發(fā)電量處于 穩(wěn)步增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。相較于火力發(fā)電，每 1MW 的風(fēng)電廠的半導(dǎo)體需求量是 火電廠的 30 倍，2011 年風(fēng)電機(jī)的功率為 1.5 MW，2017 年已經(jīng)增長(zhǎng)至 2-3 MW。風(fēng)力發(fā)電量的穩(wěn)定增長(zhǎng)將對(duì)功率半導(dǎo)體提出新的需求。

? 太陽(yáng)能發(fā)電：IHS 預(yù)測(cè)，2016-2021 年太陽(yáng)能發(fā)電對(duì) IGBT 模組的需求復(fù)合 增速為 9.0%。為了有效地滿足綠色能源太陽(yáng)能發(fā)電及逆變并網(wǎng)的需求，就 需要控制、驅(qū)動(dòng)器和輸出功率器件的正確組合，IGBT 是作為功率開關(guān)的必 然之選，而 PV 逆變器也將是[敏感詞]批使用 SiC 基的器件之一，這將顯著提 升 IGBT 的價(jià)值量。

? 中國(guó)光伏逆變器廠商崛起，IGBT 近水樓臺(tái)。目前，以華為、陽(yáng)光電源為 主的本土廠商在光伏逆變器市場(chǎng)持續(xù)突破，根據(jù) SolarEdge 統(tǒng)計(jì)，2018 年，華為在全球逆變器市場(chǎng)的份額達(dá) 22%，市占率位列全球[敏感詞]，陽(yáng)光電 源的市場(chǎng)份額為 15%，市占率位居全球第二位。特別是在三相組串型逆變 器市場(chǎng)，2017 年華為的市占率已達(dá) 56%，市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)地位突出，中國(guó)光伏逆 變器廠商快速發(fā)展為國(guó)產(chǎn) IGBT 替代帶來了顯著的本土化優(yōu)勢(shì)。

3.3.3 全球家用電器變頻加速滲透，IGBT迎發(fā)展良機(jī)

? IGBT 模塊是變頻家電變頻器的核心元器件。IGBT 高頻開閉合功能能夠帶 來以下優(yōu)點(diǎn)：1、較小的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗；2、出色的 EMI 性能，可通 過改變驅(qū)動(dòng)電阻的大小滿足 EMI 需求的同時(shí)保持開關(guān)損耗在合理范圍內(nèi)； 3、強(qiáng)大的抗短路能力；4、較小的電壓尖峰（對(duì)家電起到保護(hù)作用）。中 國(guó)作為全球[敏感詞]的家電市場(chǎng)和生產(chǎn)基地，亦孕育著大規(guī)模的 IGBT 市場(chǎng)。 以空調(diào)行業(yè)為例，中國(guó)作為全球[敏感詞]的家電市場(chǎng)和生產(chǎn)基地，亦孕育著大 規(guī)模的 IPM 市場(chǎng)。

? 家電變頻可大幅節(jié)能電能。相對(duì)于傳統(tǒng)的家電產(chǎn)品，變頻家電產(chǎn)品在能 效、性能及智能控制等方面有明顯的先天優(yōu)勢(shì)。近年來，變頻家電正處在 全面發(fā)展的階段，主要應(yīng)用于空調(diào)、微波爐、冰箱、熱水器等耗電較大的 電器。舉例來講，相較于不可變頻冰箱，可變頻冰箱的使用壽命長(zhǎng)，噪音 小，并且能夠節(jié)省 40%的能耗。

? 預(yù)測(cè) 2022 年家電變頻滲透率 65%。IHS 統(tǒng)計(jì)，2017 年全球家用電器銷量 約 7.11 億臺(tái)，其中 4.67 億臺(tái)為不可變頻家電，占比達(dá)到 66%，而可變頻家 電數(shù)量為 2.44 億臺(tái)，占比為 34%。預(yù)計(jì)到 2022 年可變頻家電銷售量將達(dá)到 5.85 億臺(tái)，占比達(dá)到 65%，17-22 年銷售量 CAGR 為 19.1%，而不可變 頻家電銷售量將下降至 3.17 億臺(tái)，占比減少至 35%。

? 變頻家電功率半導(dǎo)體單機(jī)價(jià)值量大幅提升?？勺冾l家電的快速放量，將顯 著提升單位家電中半導(dǎo)體的價(jià)值量，Infineon 預(yù)測(cè)半導(dǎo)體價(jià)值量將從不可變 頻的 0.7 歐元提升至 9.5 歐元，而增加的半導(dǎo)體主要是屬于功率半導(dǎo)體，假 設(shè) 9.5 歐元是單位可變頻家電的平均半導(dǎo)體價(jià)值量，預(yù)計(jì) 2022 年家電半導(dǎo) 體市場(chǎng)空間將從 2017 年的 26.45 億歐元增長(zhǎng)至 57.79 億元，17-22 年 CAGR 為 16.9%。

? 根據(jù) IHS 數(shù)據(jù)，2021 年家用功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望從 2017 年的 14.4 億 美元增長(zhǎng)至 26.7 億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到 1

? 隨著全球節(jié)能環(huán)保的大力推行，白色家電變頻滲透率將逐步提升，功率半 導(dǎo)體作為變頻器的核心元器件，將顯著受益。

3.4 各領(lǐng)域增長(zhǎng)：預(yù)計(jì)汽車用 IGBT模塊 2018 年-2023 年復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá) 23.5%

? 2018 年全球 IGBT 市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 62.1 億美元。 根據(jù) IHS 數(shù)據(jù)，2017 年全 球 IGBT 市場(chǎng)規(guī)模為 52.55 億美元，同比 2016 年增長(zhǎng) 16.5%，2018 年全球 IGBT 市場(chǎng)規(guī)模在 62.1 億美元左右。

四、電動(dòng)汽車需求拉動(dòng)，碳化硅迎來發(fā)展新機(jī)遇

4.1 性能優(yōu)異，第三代半導(dǎo)體應(yīng)運(yùn)而生

? SiC 和 GaN 基 MOSFETs 突破性能極限，技術(shù)升級(jí)勢(shì)在必行：和[敏感詞]代、 第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿 電場(chǎng)、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合 于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。為了追求更小的器件體積以及 更好的性能，功率器件廠商逐漸推進(jìn)下一代技術(shù)方案的 SiC 和 GaN 基 MOSFETs。舉例來講，1）SiC 基 MOSFETs 相較于硅基 MOSFETs 擁有高 度穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)，工作溫度可達(dá) 600 ℃；2）SiC 的擊穿場(chǎng)強(qiáng)是硅的十倍 多，因此 SiC 基 MOSFETs 阻斷電壓更高；3）SiC 的導(dǎo)通損耗比硅器件小 很多，而且隨溫度變化很?。?）SiC 的熱導(dǎo)系數(shù)幾乎是 Si 材料的 2.5 倍， 飽和電子漂移率是 Si的 2 倍，所以 SiC 器件能在更高的頻率下工作。

? SiC 主要應(yīng)用于白色家電、新能源（電動(dòng)汽車、風(fēng)電、光伏）、工業(yè)應(yīng)用 等。

4.2 碳化硅在電動(dòng)汽車領(lǐng)域有望大顯身手

? 在車用方面，SiC MOSFET 在性能方面明顯占優(yōu)，可以降低損耗，減小模 塊體積重量，IGBT 在可靠性魯棒性方面占優(yōu)。碳化硅器件應(yīng)用于車載充電 系統(tǒng)和電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，能夠有效降低開關(guān)損耗、提高極限工作溫度、提升 系統(tǒng)效率。

? Model 3 率先采用 SiC MOSFET，開啟了電動(dòng)汽車使用 SiC 先河。

? 特斯拉逆變器模組上率先采用了 24 顆碳化硅 SiC MOSFET，該產(chǎn)品由意法 半導(dǎo)體提供，隨后英飛凌也成為了特斯拉的 SiC 功率半導(dǎo)體供應(yīng)商。整個(gè) 功率模塊單元由單管模塊組成，采用標(biāo)準(zhǔn) 6-switches 逆變器拓?fù)?，每個(gè) switch 由 4 顆單管模塊組成，共 24 顆單管模塊，器件耐壓為 650V。Model 3 的 SiC 單管模塊設(shè)計(jì)與 Model S/X 采用 Infineon IGBT 單管思路一致，好 處是實(shí)現(xiàn)不同功率等級(jí)的可擴(kuò)展同時(shí)，還能提升模塊封裝良率，降低半導(dǎo) 體器件成本。

? 比亞迪漢采用 SiC MOSFET 提升加速性能、功率及續(xù)航能力。

? 2020 年，比亞迪漢 EV 車型電機(jī)控制器首次使用了比亞迪自主研發(fā)并制造 的 SiC MOSFET 控制模塊，大大提高了電機(jī)性能。

? 碳化硅加速性能好。寬禁帶最直接的好處，有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，也就是耐 高壓，即是可以控制更高的系統(tǒng)電壓。比亞迪漢能夠使用 650V 電壓平 臺(tái)，也有碳化硅的功勞。高電壓意味著低電流，能減少設(shè)備電阻的損耗。 對(duì)電機(jī)設(shè)計(jì)來說，也更容易在小體積下實(shí)現(xiàn)更高功率，也因此，比亞迪漢 可以輕松實(shí)現(xiàn) 3.9S 的 0–100 加速性能。

? 碳化硅可實(shí)現(xiàn)大概率及高續(xù)航。除了寬禁帶帶來的優(yōu)勢(shì)外，碳化硅還有兩 大優(yōu)勢(shì)，一個(gè)是飽和電子速度更高，一個(gè)是導(dǎo)熱率更高、耐溫性能更高。 飽和電子速度快，也就是可以通過更大的電流。碳化硅材料的電子飽和速 度是硅材料的兩倍，因此在設(shè)備設(shè)計(jì)時(shí)，匹配的電流強(qiáng)度更容易遠(yuǎn)離設(shè)備 的飽和電流，也就能實(shí)現(xiàn)在導(dǎo)通狀態(tài)下更低的電阻。這能減少電能的損耗，也有助于降低設(shè)備發(fā)熱，簡(jiǎn)化散熱設(shè)計(jì)。特別是在瞬時(shí)大電流情況 下，設(shè)備溫度積累減少，再加上耐溫性增加與材料本身更強(qiáng)的導(dǎo)熱率，也 讓設(shè)備散熱更容易。車輛也就能爆發(fā)出更大的功率。這是比亞迪漢能實(shí)現(xiàn) 363Kw 功率的原因。使用磷酸鐵鋰的情況下能達(dá)到 605 公里的續(xù)航里程， 顯然也有碳化硅的功勞。

? 豐田燃料電池車 Mirai 車型采用碳化硅模塊

? 電裝已經(jīng)開始批量生產(chǎn)搭載了 SiC（碳化硅）功率半導(dǎo)體的新一代升壓功 率模塊，該模塊將應(yīng)用于豐田燃料電池車 Mirai 車型。電裝與豐田的 SiC 功率模塊的應(yīng)用歷經(jīng) HEV、燃料電池巴士和燃料電池乘用車。新 Mirai 的 新一代固態(tài)燃料電池核心組件 Toyota FC Stack 搭配了使用多個(gè) SiC 功率 半導(dǎo)體的 FC 升壓變換器。升壓變換器作用是輸出高于輸入電壓的電壓。

? 功率模塊體積縮小了 30%，損耗降低了 70%。根據(jù)電裝的測(cè)算，與采用 Si 基功率半導(dǎo)體的產(chǎn)品相比，搭載了 SiC 功率半導(dǎo)體（含二極管和晶體管） 的新型升壓功率模塊體積縮小了約 30%，損耗降低了約 70%，在實(shí)現(xiàn)功率 模塊小型化的同時(shí)提升了車輛的燃油效率。

? 搭載 SiC 模塊的新 Mirai 續(xù)航里程提升 30%。豐田表示，通過在 FC 升壓 變壓器中使用 SiC 半導(dǎo)體，采用鋰離子低壓蓄電池等方式，降低系統(tǒng)能耗 損失。同時(shí)，在提升 FC 電堆性能的基礎(chǔ)上，通過采用觸媒活性再生控制 技術(shù)，提升發(fā)電效率。從而豐田實(shí)現(xiàn)了新 Mirai WLTC 工況[敏感詞]續(xù)航里程約 850km，較上一代車型提升約 30%。

4.3 預(yù)測(cè) 2027 年碳化硅功率器件規(guī)模將超百億美元

? 預(yù)測(cè) 2027 年碳化硅功率器件的市場(chǎng)規(guī)模將超過 100 億美元。 2018 年碳化 硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模約 3.9 億美元，受新能源汽車龐大需求的驅(qū)動(dòng)以及電 力設(shè)備等領(lǐng)域的帶動(dòng)，IHS 預(yù)測(cè)到 2027 年碳化硅功率器件的市場(chǎng)規(guī)模將超過 100 億 美元。2021 年起，受益電動(dòng)汽車?yán)瓌?dòng)，SiC MOSFET 將保持較快 的速度增長(zhǎng)，成為最暢銷的分立 SiC 功率器件。

五、功率半導(dǎo)體 80%以上依賴進(jìn)口，國(guó)內(nèi)企業(yè)奮起直追

5.1 歐、美、日企業(yè)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)明顯

? 據(jù) Infineon 統(tǒng)計(jì)，2019 年全球功率半導(dǎo)體器件與模組市場(chǎng)規(guī)模為 210 億美 元，歐美日呈現(xiàn)三足鼎立之勢(shì)，英飛凌位居[敏感詞]，占比 19%，安森美次 之，占比 8.4%，前十大公司合計(jì)市占率達(dá)到 58.3%。

? 2019 年，全球 MOSFET市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 81億美元，英飛凌以[敏感詞]優(yōu)勢(shì)排名 [敏感詞]，市占率達(dá)到 24.6%，前五大公司市占率達(dá)到 59.8%。聞泰收購(gòu)的安世 半導(dǎo)體及中國(guó)本土成長(zhǎng)起來的華潤(rùn)微進(jìn)入前十，分別占比 4.1%和 3.0%。

? 2019 年，IGBT 模組市場(chǎng)規(guī)模為 33.1 億美元，英飛凌排名[敏感詞]，市占率高 達(dá) 35.6%，前五大公司合計(jì)占比達(dá)到 68.8%。中國(guó)本土成長(zhǎng)起來的 IGBT 龍 頭公司斯達(dá)半導(dǎo)體近幾年發(fā)展較快，進(jìn)入前十，2019 年排名第八，市占率 2.5%。

? 2019 年，分立 IGBT 市場(chǎng)規(guī)模為 14.4 億美元，英飛凌排名[敏感詞]，市占率高 達(dá) 32.5%，前五大公司合計(jì)占比達(dá)到 63.9%，中國(guó)廠商士蘭微進(jìn)入前十，市 占率 2.2%。

? 2019 年，IPMs 市場(chǎng)規(guī)模為 15.9 億美元，日本三菱排名[敏感詞]，市占率高達(dá) 32.7%，前五大公司合計(jì)占比達(dá)到 76.9%，中國(guó)廠商士蘭微和華微電子進(jìn)入 前十，市占率分別為 1.1%和 0.8%。

5.2 中國(guó)功率半導(dǎo)體企業(yè)奮起直追，迎來快速發(fā)展期

? 中國(guó)是全球[敏感詞]的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。國(guó)際龍頭企業(yè)較大部分收入來自中國(guó) 地區(qū)，以達(dá)爾科技和恩智浦為例，其收入的 50%多和 40%多來自中國(guó)大 陸，中國(guó)是電動(dòng)汽車大國(guó)，英飛凌的 IGBT 在中國(guó)電動(dòng)汽車市場(chǎng)占比達(dá)到 60%多。由此可見，我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求量巨大，本土廠商擁有非常 大的進(jìn)口替代空間。

? 中國(guó) IGBT 自給率不斷提升。根據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，自 2015 年以來，我國(guó) IGBT 自給率超過 10%并逐漸增長(zhǎng)，預(yù)測(cè) 2020 年自給率將從 2015 年的 10.1%提升至 18.4%，預(yù)計(jì) 2024 年我國(guó) IGBT 行業(yè)產(chǎn)量將達(dá)到 0.78 億只， 需求量約為 1.96 億只，自給率達(dá)到 40%。 整體來看，我國(guó) IGBT 行業(yè)仍存 在巨大供需缺口，“國(guó)產(chǎn)替代”將會(huì)是未來 IGBT 行業(yè)重要的發(fā)展方向。

? 中高端功率半導(dǎo)體產(chǎn)品依賴海外。比亞迪、華為、中國(guó)中車股份有限公司 （CRRC）、陽(yáng)光電源股份有限公司（Sungrow）等中國(guó)企業(yè)是引領(lǐng)全球的 功率半導(dǎo)體客戶，但是這些公司在功率半導(dǎo)體采購(gòu)上依然極其依賴英飛 凌、富士電機(jī)、三菱電機(jī)等海外供應(yīng)商。中國(guó)是電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力汽車 的[敏感詞]市場(chǎng)，但是海外供應(yīng)鏈仍為中國(guó)的大部分系統(tǒng)提供功率半導(dǎo)體模 組。在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)上，中高端產(chǎn)品生產(chǎn)廠商主要集中在歐洲、美 國(guó)和日本地區(qū)。歐美日的功率半導(dǎo)體廠商大部分屬于 IDM 廠商，英飛凌、 安森美、意法半導(dǎo)體、三菱、東芝等是行業(yè)中的龍頭企業(yè)。中國(guó)臺(tái)灣地區(qū) 也是較大的功率半導(dǎo)體產(chǎn)地，廠商大多屬于 Fabless 廠商，產(chǎn)品主要集中在 低端領(lǐng)域。我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占據(jù)全球 36%左右的需求份額，在高端產(chǎn) 品領(lǐng)域，約 80%依賴進(jìn)口。

? 中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在快速發(fā)展。我國(guó)半導(dǎo)體廠商主要為 IDM 模式，生 產(chǎn)鏈較為完善，產(chǎn)品主要集中在二極管、低壓 MOS 器件、晶閘管等低端領(lǐng) 域，IGBT 逐漸獲得突破，生產(chǎn)工藝成熟且具有成本優(yōu)勢(shì)，行業(yè)中的龍頭企 業(yè)盈利水平遠(yuǎn)高于中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)廠商。而在新能源、電力、軌道交通等高端產(chǎn) 品領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)僅有極少數(shù)廠商擁有生產(chǎn)能力，高端產(chǎn)品市場(chǎng)主要被英飛 凌、安森美、瑞薩、東芝等歐美日廠商所壟斷。

? 目前國(guó)內(nèi)外 IGBT 市場(chǎng)仍主要由外國(guó)企業(yè)占據(jù)，國(guó)內(nèi)以斯達(dá)半導(dǎo)體為首的 IGBT 企業(yè)發(fā)展快速，在工控、電動(dòng)汽車、風(fēng)電、光伏、電力及高鐵等領(lǐng)域 逐漸取得突破，不斷提升份額，2019 年，按照出貨數(shù)量測(cè)算，中國(guó)電動(dòng)汽 車用 IGBT，英飛凌占比[敏感詞]，市占率高達(dá) 49.3%，比亞迪第二，占比 20% （主要給自己配套），斯達(dá)半導(dǎo)體第三，占比 16.6%，斯達(dá)半導(dǎo)體在電動(dòng) 汽車 IGBT 領(lǐng)域芯片自給率較高，超過 90%。

? 我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中，本土廠商在低端產(chǎn)品領(lǐng)域已經(jīng)開始進(jìn)口替代，聞 泰科技收購(gòu)的安世半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)體、華潤(rùn)微、新潔能、立昂微、華微 電子、揚(yáng)杰科技、士蘭微、三安光電、捷捷微電等是行業(yè)中的優(yōu)質(zhì)企業(yè)， 但市場(chǎng)份額占比仍然較低。

六、看好行業(yè)細(xì)分龍頭

目前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈正在日趨完善，技術(shù)也正在取得突破，中國(guó)是 全球[敏感詞]的功率半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，2019 年占全球需求比例高達(dá) 35.9%，且增 速明顯高于全球，未來在新能源（電動(dòng)汽車、光伏、風(fēng)電）、工控、變頻 家電、IOT 設(shè)備等需求下，中國(guó)需求增速將繼續(xù)高于全球，行業(yè)穩(wěn)健增長(zhǎng)+ 國(guó)產(chǎn)替代，我們看好細(xì)分行業(yè)龍頭：斯達(dá)半導(dǎo)體、華潤(rùn)微、華虹半導(dǎo)體、 士蘭微、新潔能、立昂微、三安光電、聞泰科技、中車時(shí)代電氣。

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