功率半導(dǎo)體是半導(dǎo)體行業(yè)的細(xì)分領(lǐng)域，雖不像集成電路一樣被大眾熟知，但其重要性不可忽視。
IGBT是功率半導(dǎo)體的一種，作為電子電力裝置和系統(tǒng)中的“CPU”，高效節(jié)能減排的主力軍。
回顧
IGBT的技術(shù)發(fā)展，
IGBT主要經(jīng)歷了7代技術(shù)及工藝改進(jìn)。
IGBT ，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型
三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，具有高頻率、高電壓、大電流、易于開關(guān)等優(yōu)良性能，被業(yè)界譽(yù)為功率變流裝置的“CPU”。
集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)顯示，電動(dòng)汽車的發(fā)展將帶動(dòng)
IGBT市場(chǎng)總值持續(xù)成長，預(yù)估2021年
IGBT的市場(chǎng)總值將突破52億美元。中國作為全球[敏感詞]的
IGBT需求市場(chǎng)，主要市場(chǎng)份額被歐美、日本企業(yè)所占據(jù)，但是經(jīng)過多年努力，目前已建立起完整的
IGBT產(chǎn)業(yè)鏈，下面將按照IDM、設(shè)計(jì)、制造、模組分類盤點(diǎn)國內(nèi)
IGBT產(chǎn)業(yè)鏈主要企業(yè)——
IDM
株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司是中國中車旗下股份制企業(yè)，其前身及母公司——中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司創(chuàng)立于1959年，其現(xiàn)已形成了集
IGBT產(chǎn)品設(shè)計(jì)、芯片制造等成套技術(shù)研究、開發(fā)、集成于一體的大功率
IGBT產(chǎn)業(yè)化基地。
2008年，中車時(shí)代電氣（當(dāng)時(shí)名為“南車時(shí)代電氣”）收購全球IBGT廠商丹尼斯，2009年建成國內(nèi)首條高壓
IGBT模塊封裝線，自2010年開始著手籌建國內(nèi)首條專注于
IGBT芯片的先進(jìn)生產(chǎn)線。目前，中車時(shí)代電氣
IGBT產(chǎn)品已從650V覆蓋至6500V，并批量應(yīng)用于高鐵、電網(wǎng)、電動(dòng)汽車、風(fēng)電等領(lǐng)域，2017年其高壓
IGBT模塊在電力系統(tǒng)收獲訂單，并成功研制世界[敏感詞]容量壓接型
IGBT。
2003年，比亞迪成立深圳比亞迪微電子有限公司（即其“第六事業(yè)部”），致力于集成電路及功率器件的開發(fā)并提供產(chǎn)品應(yīng)用的整套解決方案，其
IGBT的研發(fā)制造主要由比亞迪微電子負(fù)責(zé)。2005年，比亞迪正式組建
IGBT研發(fā)團(tuán)隊(duì)，并于2007年建立
IGBT模塊生產(chǎn)線，完成[敏感詞]電動(dòng)汽車
IGBT模塊樣品組裝。
目前，比亞迪已相繼掌握
IGBT芯片設(shè)計(jì)和制造、模組設(shè)計(jì)和制造、大功率器件測(cè)試應(yīng)用平臺(tái)、電源及電控等環(huán)節(jié)，擁有
IGBT完整產(chǎn)業(yè)鏈。2018年底，比亞迪正式發(fā)布其自研車規(guī)級(jí)
IGBT 4.0技術(shù)。全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢報(bào)告指出，比亞迪微電子憑借擁有終端的優(yōu)勢(shì)，在車用
IGBT市場(chǎng)快速崛起，取得中國車用
IGBT市場(chǎng)超過兩成的市占率，一躍成為中國銷售額前三的
IGBT供應(yīng)商。
杭州士蘭微電子股份有限公司成立于1997年，從集成電路芯片設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)開始，逐步搭建了特色工藝的芯片制造平臺(tái)，并已將技術(shù)和制造平臺(tái)延伸至功率器件、功率模塊和MEMS傳感器的封裝領(lǐng)域，建立了較為完善的IDM經(jīng)營模式。
目前，士蘭微5英寸、6英寸芯片生產(chǎn)線已穩(wěn)定運(yùn)行，8英寸芯片生產(chǎn)線也順利投產(chǎn)，陸續(xù)完成了高壓BCD、超薄片槽柵
IGBT、超結(jié)高壓MOSFET、高密度溝槽柵 MOSFET、快回復(fù)二極管、MEMS傳感器等工藝的研發(fā)。今年4月，士蘭微推出了應(yīng)用于家用電磁爐的1350V RC-
IGBT系列產(chǎn)品，據(jù)悉其所開發(fā)的
IGBT已在多個(gè)領(lǐng)域通過了客戶的嚴(yán)格測(cè)試并導(dǎo)入量產(chǎn)。
吉林華微電子股份有限公司成立于1999年，集功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測(cè)試及產(chǎn)品營銷為一體，官網(wǎng)信息顯示其擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導(dǎo)體分立器件及IC芯片生產(chǎn)線，芯片加工能力為每年400萬片，封裝資源為24億只/年，模塊360萬塊/年。
華微電子主要生產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件及IC，目前已形成
IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等為營銷主線的系列產(chǎn)品，其650V~1200V的Trench-FS
IGBT平臺(tái)產(chǎn)品已通過客戶驗(yàn)證。今年4月，華微電子擬募投8英寸生產(chǎn)線項(xiàng)目，600V-1700V各種電壓、電流等級(jí)
IGBT芯片是該項(xiàng)目的重點(diǎn)之一。
華潤微電子（重慶）有限公司，即原中航（重慶）微電子有限公司，集半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造與服務(wù)一體化，以功率半導(dǎo)體器件、功率/模擬集成電路為產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，面向工業(yè)電子、消費(fèi)電子、汽車電子、5G通訊市場(chǎng)。具備功率器件、GaN、MEMS傳感器等技術(shù)開發(fā)和制造平臺(tái)。
重慶華潤微擁有國內(nèi)[敏感詞]條全內(nèi)資8英寸專注功率器件晶圓生產(chǎn)線，月產(chǎn)能5.1萬片，工藝能力0.18微米，以及一條8英寸特種工藝生產(chǎn)線。目前該公司已啟動(dòng)12英寸晶圓生產(chǎn)線及相關(guān)配套封測(cè)線建設(shè)規(guī)劃，主要生產(chǎn)MOSFET、
IGBT、電源管理芯片等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。
湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司成立于2004年，是是國內(nèi)大功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域?yàn)閿?shù)不多的掌握前道（擴(kuò)散）技術(shù)、中道（芯片制成）技術(shù)、后道（封裝測(cè)試）技術(shù)，并掌握大功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造核心技術(shù)并形成規(guī)?；a(chǎn)的企業(yè)。
臺(tái)基股份主營產(chǎn)品為功率晶閘管、整流管、
IGBT 模塊、電力半導(dǎo)體模塊等功率半導(dǎo)體器件，其早于5年前開始了
IGBT模塊的研發(fā)，目前基本具備
IGBT設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試的能力。近期，臺(tái)基股份定增募投“新型高功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)升級(jí)項(xiàng)目”，其中包含了月產(chǎn)4萬只
IGBT模塊(兼容MOSFET等)封測(cè)線。
揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司成立于2006年8月，致力于功率半導(dǎo)體芯片及器件制造、集成電路封裝測(cè)試等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，主營產(chǎn)品為各類電力電子器件芯片、功率二極管、
整流橋、大功率模塊、DFN/QFN產(chǎn)品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等。
據(jù)了解，在
IGBT方面揚(yáng)杰科技于2018年3月控股了一條位于宜興的6英寸晶圓線，目前該生產(chǎn)線已經(jīng)量產(chǎn)
IGBT芯片，主要應(yīng)用于電磁爐等小家電領(lǐng)域。揚(yáng)杰科技在互動(dòng)平臺(tái)上表示，2018年度，公司
IGBT芯片實(shí)際產(chǎn)出近6000片。
科達(dá)半導(dǎo)體
科達(dá)半導(dǎo)體有限公司成立于2007年，是由科達(dá)集團(tuán)投資成立的高新技術(shù)企業(yè)，主要從事
IGBT、FRD、MOSFET等新型功率半導(dǎo)體器件（電力電子器件）的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售，在深圳、浙江、山東等地區(qū)均設(shè)有銷售中心。
據(jù)科達(dá)半導(dǎo)體官方介紹，其擁有功率器件設(shè)計(jì)中心、性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)室和可靠性實(shí)驗(yàn)室以及省級(jí)設(shè)計(jì)中心，省級(jí)功率半導(dǎo)體工程中心，在
IGBT、FRD、MOSFET等多個(gè)產(chǎn)品領(lǐng)域開發(fā)出擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的多種規(guī)格產(chǎn)品，其中1200V
IGBT被國家科技部列為國家重點(diǎn)新產(chǎn)品，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電磁爐、小功率變頻器、逆變焊機(jī)、無刷馬達(dá)控制器、UPS等領(lǐng)域。
設(shè)計(jì)
江蘇中科君芯科技有限公司成立于2011年，是一家專注于
IGBT、FRD等新型電力電子芯片研發(fā)的中外合資高科技企業(yè)。中科君芯前身是中國科學(xué)院微電子研究所、中國科學(xué)院微電子研究所、中國物聯(lián)網(wǎng)研究與發(fā)展中心以及成都電子科大的三個(gè)研究團(tuán)隊(duì)，最早始于上世紀(jì)80年代。
中科君芯官網(wǎng)介紹稱，公司目前形成具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品有650V、1200V、1700V系列
IGBT芯片，并擁有222項(xiàng)專利，其中PCT專利12項(xiàng)。
IGBT技術(shù)方面，中科君芯已開發(fā)出溝槽場(chǎng)終止（Trench -FS）電壓650V-6500V、單芯片電流8A-400A全系列
IGBT芯片，成功解決了溝槽柵溝槽成型技術(shù)、載流子增強(qiáng)技術(shù)、晶圓減薄技術(shù)、背面高能離子注入技術(shù)、背面激光退火技術(shù)等關(guān)鍵工藝技術(shù)。
寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司成立于2013年，是以海歸博士為主創(chuàng)立的一家中外合資的高科技公司，主要從事
IGBT、MOSFET、FRD等功率半導(dǎo)體芯片與器件的設(shè)計(jì)、制造和銷售，擁有
IGBT、MOSFET和FRD等功率半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)和工藝集成技術(shù)，建有
IGBT產(chǎn)品性能測(cè)試、應(yīng)用及可靠性試驗(yàn)室，擁有一條測(cè)試和制造手段完備
IGBT模塊研發(fā)生產(chǎn)線。
達(dá)新半導(dǎo)體官網(wǎng)介紹稱，其團(tuán)隊(duì)在8英寸和6英寸晶圓制造平臺(tái)上同時(shí)開發(fā)成功平面型NPT、平面型FS、溝槽型NPT、溝槽型FS等
IGBT芯片技術(shù)，能夠制造從600V至1700V， 可滿足大部分應(yīng)用領(lǐng)域的
IGBT芯片產(chǎn)品。此外，達(dá)新半導(dǎo)體已成功開發(fā)多種
IGBT模塊產(chǎn)品，電壓等級(jí)涵蓋600V～3300V、電流等級(jí)涵蓋10A～1000A，可應(yīng)用于逆變焊機(jī)、變頻器、感應(yīng)加熱、大功率電源、UPS、新能源汽車、太陽能/風(fēng)力發(fā)電、SVG等領(lǐng)域。
無錫紫光微電子有限公司（原無錫同方微電子有限公司）成立于2006年，是紫光同芯微電子有限公司投資的一家高新技術(shù)企業(yè)，是一家專注于先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件和集成電路的設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測(cè)試及產(chǎn)品銷售的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)。
據(jù)紫光微電子官網(wǎng)介紹，該公司開發(fā)和生產(chǎn)的SJ MOSFET、DT MOSFET、HV VDMOS、
IGBT、IGTO、Half Bridge Gate Driver等半導(dǎo)體功率器件以及相關(guān)的電源管理集成電路等產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于節(jié)能、綠色照明、風(fēng)力發(fā)電、智能電網(wǎng)、混合動(dòng)力\電動(dòng)汽車、儀器儀表、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。
IGBT方面，其以
IGBT實(shí)際應(yīng)用為設(shè)計(jì)基礎(chǔ)，使用NPT（非穿通型）和溝槽型FS（場(chǎng)終止型）
IGBT技術(shù)為大功率應(yīng)用客戶提供優(yōu)質(zhì)可靠的系統(tǒng)解決方案。
無錫新潔能股份有限公司成立于2013年，主營業(yè)務(wù)為MOSFET、
IGBT等半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)設(shè)計(jì)及銷售，主要產(chǎn)品按照是否封裝可分為芯片和封裝成品，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)電子以及新能源汽車/充電樁、智能裝備 制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等領(lǐng)域。
據(jù)無錫新潔能官方介紹，目前其主要產(chǎn)品包括12V~200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V~900V超結(jié)功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場(chǎng)截止型
IGBT，相關(guān)核心技術(shù)已獲得多項(xiàng)專利授權(quán)，四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品認(rèn)定。
西安芯派電子科技有限公司成立于2008年，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的高新技術(shù)企業(yè)，產(chǎn)品包含低壓至高壓全系列MOSFET、
IGBT、二極管、橋堆以及電源管理IC等。其總部位于西安，擁有省級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室西安半導(dǎo)體功率器件測(cè)試應(yīng)用中心。
據(jù)了解，芯派科技自2016年研發(fā)出應(yīng)用于1200V/900V/650V的
IGBT功率器件，產(chǎn)品性能指標(biāo)達(dá)到和國外同類產(chǎn)品的技術(shù)性能。目前其600V/1200V FS系列
IGBT產(chǎn)品在工業(yè)類電源中批量使用，450V的
IGBT產(chǎn)品適用于閃光燈應(yīng)用與點(diǎn)火應(yīng)用，NPT工藝的1200V/3300V
IGBT系列產(chǎn)品適用于汽車行業(yè)。
制造
上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司由原上海華虹NEC電子有限公司和上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司新設(shè)合并而成，是全球[敏感詞]提供場(chǎng)截止型絕緣柵雙極型晶體管（FS
IGBT）量產(chǎn)技術(shù)的8英寸集成電路芯片制造廠。
華虹宏力自2011年起就已成功量產(chǎn)了1200V非穿通型（NPT）
IGBT；2013年600V-1200V FS
IGBT實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，隨后與多家合作單位陸續(xù)推出了600V、1200V、1700V等
IGBT器件工藝，成功解決了
IGBT的關(guān)鍵工藝問題，包括硅片翹曲及背面工藝能力等。據(jù)悉目前華虹宏力是國內(nèi)[敏感詞]擁有
IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工企業(yè)，同時(shí)正在加速研發(fā)6500V超高壓
IGBT技術(shù)。
上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司，前身為1988年由中荷合資成立的上海飛利浦半導(dǎo)體公司，擁有5英寸、6英寸、8英寸晶圓生產(chǎn)線，專注于模擬電路、功率器件的制造，自2004年開始提供
IGBT國內(nèi)、外代工業(yè)務(wù)。
上海先進(jìn)2008年在國內(nèi)建立
IGBT背面工藝線，具備
IGBT正面、背面、測(cè)試等完整的
IGBT工藝能力，
IGBT/FRD的電壓范圍覆蓋650V、1200V、1700V、3300V、4500V、6500V，技術(shù)能力包括PT、NPT、Field Stop，以及平面、溝槽
IGBT等。其6英寸晶圓廠專注于平面
IGBT和FRD工藝平臺(tái)，電壓覆蓋1200V~6500V，8英寸晶圓廠專注于Trench Field Stop
IGBT工藝平臺(tái)，電壓覆蓋450V~1700V。
中芯國際集成電路制造有限公司是中國內(nèi)地技術(shù)最全面、配套最完善、規(guī)模[敏感詞]、跨國經(jīng)營的集成電路制造企業(yè)，提供0.35微米到28納米8寸和12寸芯片代工與技術(shù)服務(wù)。
根據(jù)中芯國際官網(wǎng)介紹，其
IGBT平臺(tái)從2015年開始建立，著眼于[敏感詞]一代場(chǎng)截止型
IGBT結(jié)構(gòu)，采用業(yè)界[敏感詞]及主流的背面加工工藝，包括Taiko背面減薄工藝、濕法刻蝕工藝、離子注入、背面激光退火及背面金屬沉積工藝等，已完成整套深溝槽+薄片+場(chǎng)截止技術(shù)工藝的自主研發(fā)，并相應(yīng)推出600V~1200V等器件工藝，技術(shù)參數(shù)可達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。
深圳方正微電子有限公司成立于2003年，由方正集團(tuán)聯(lián)合其他投資者共同創(chuàng)辦，專注于為客戶提供功率分立器件（如DMOS、
IGBT、SBD和FRD）和功率集成電路（如BiCMOS、BCD和HV CMOS）等領(lǐng)域的晶圓制造技術(shù)。
根據(jù)官網(wǎng)介紹，方正微電子擁有兩條6英寸晶圓生產(chǎn)線，月產(chǎn)能達(dá)6萬片，產(chǎn)能規(guī)模居國內(nèi)6英寸線前列，0.5微米/6英寸工藝批量生產(chǎn)能力躍居國內(nèi)行業(yè)第二，未來月產(chǎn)能規(guī)劃將達(dá)8萬片。
IGBT方面目前支持430V、600V Trench PT
IGBT以及1200V、1700V Planar NPT
IGBT等工藝及時(shí)。
無錫華潤上華科技有限公司隸屬于華潤集團(tuán)旗下負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的華潤微電子有限公司。華潤上華向客戶提供廣泛的晶圓制造技術(shù)，包括BCD、Mixed-Signal、HV CMOS、RFCMOS、Embedded-NVM、BiCMOS、Logic、MOSFET、
IGBT、SOI、MEMS、Bipolar等標(biāo)準(zhǔn)工藝及一系列客制化工藝平臺(tái)。
據(jù)官網(wǎng)介紹，華潤上華擁有國內(nèi)[敏感詞]的6英寸代工線和一條8英寸代工線，6英寸月產(chǎn)能逾11萬片，八英寸生產(chǎn)線目前月產(chǎn)能已達(dá)3.5萬片，未來整體月產(chǎn)能規(guī)劃為6萬片，制程技術(shù)將提升至0.11微米。
IGBT方面，華潤上華于2012年已宣布開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT
IGBT以及600V Trench PT
IGBT工藝平臺(tái)。
模組
嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2005年4月，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體元器件尤其是
IGBT模塊研發(fā)、生產(chǎn)和銷售服務(wù)的[敏感詞]高新技術(shù)企業(yè)，其主要產(chǎn)品為功率半導(dǎo)體元器件，包括
IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等，已成功開發(fā)近600種
IGBT模塊產(chǎn)品，電壓等級(jí)涵蓋100V～3300V，電流等級(jí)涵蓋10A～3600A。
在技術(shù)方面，嘉興斯達(dá)已開發(fā)出平面柵NPT型1200V全系列
IGBT芯片和溝槽柵場(chǎng)中止650V、750V、1200V及1700V全系列
IGBT芯片，解決了包括8英寸晶圓減薄技術(shù)、背面高能離子注入技術(shù)、背面激光退火激活技術(shù)以及溝槽柵挖槽成型技術(shù)等關(guān)鍵工藝技術(shù)。有數(shù)據(jù)顯示，2017年嘉興斯達(dá)在
IGBT模塊領(lǐng)域的市場(chǎng)占有率排全球第9位。
深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司成立于2013年，由深圳正軒科技、深圳國資委、深圳人才創(chuàng)新基金、達(dá)晨創(chuàng)投、方廣資本、廈門獵鷹等知名機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資，致力于
IGBT芯片、
IGBT驅(qū)動(dòng)芯片以及大功率智能功率模塊的研發(fā)、應(yīng)用和銷售。
目前芯能聚焦600V和1200V中小功率
IGBT產(chǎn)品，
IGBT單管、IPM、
IGBT模塊和HVIC四個(gè)領(lǐng)域都有完善的產(chǎn)品序列，產(chǎn)品性能國內(nèi)領(lǐng)先。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)變頻器、伺服驅(qū)動(dòng)器、變頻家電、電磁爐、工業(yè)電源、逆變焊機(jī)等領(lǐng)域；針對(duì)中大功率產(chǎn)品，芯能也能提供系統(tǒng)化解決方案：650V/450A和1200V/450A EconoDUAL智能
IGBT功率模塊、34mm模塊、62mm模塊等產(chǎn)品均得到終端客戶的一致認(rèn)可。
西安中車永電電氣有限公司成立于2005年，是中車永濟(jì)電機(jī)有限公司全資控股的專門從事電力電子產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)的高技術(shù)企業(yè)，主要產(chǎn)品包括
IGBT?模塊、IPM模塊、整流管、晶閘管、組合元件等電力半導(dǎo)體器件，以及變流器、功率模塊、城軌地面整流裝置、地鐵單向?qū)ㄑb置、充電機(jī)等裝置。
2011年12月，陜西省工業(yè)和信息化廳在西安經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)北車永濟(jì)研發(fā)中心主持召開了西安永電“6500V/600A、3300V/1200A、1700V/1200A
IGBT模塊”新產(chǎn)品新技術(shù)鑒定會(huì)。與會(huì)專家一致認(rèn)為，其6500V/600A、3300V/1200A和1700V/1200A
IGBT模塊三種產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)整體達(dá)到國際先進(jìn)水平，其中6500V/600A產(chǎn)品指標(biāo)達(dá)到國內(nèi)水平，一致同意通過省級(jí)新產(chǎn)品鑒定。
江蘇宏微科技股份有限公司成立于2006年8月，立足于電力電子元器件行業(yè)，業(yè)務(wù)范圍包括設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新型電力半導(dǎo)體芯片、分立器件及模塊，如FRED、VDMOS、
IGBT芯片、分立器件、標(biāo)準(zhǔn)模塊及用戶定制模塊(CSPM)，并提供高效節(jié)能電力電子裝置的模塊化設(shè)計(jì)、制造及系統(tǒng)的解決方案。
2018年，宏微科技與北汽新能源成立宏微－北汽新能源
IGBT聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，計(jì)劃從芯片設(shè)計(jì)到模塊設(shè)計(jì)與封裝再到電機(jī)控制器設(shè)計(jì)與生產(chǎn)，聯(lián)合打造電機(jī)控制器產(chǎn)業(yè)鏈。宏微科技年報(bào)顯示，2018年其電動(dòng)汽車用
IGBT模塊在SVG行業(yè)應(yīng)用中逐步放量，同時(shí)客戶定制化產(chǎn)品也開始批量銷售。
威海新佳電子有限公司成立于2004年，注冊(cè)資本2000萬元，是專業(yè)從事新型電力電子器件及其應(yīng)用整機(jī)產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)。
威海新佳是
IGBT國家標(biāo)準(zhǔn)和交流固態(tài)繼電器行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)起草單位之一，建有“國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程”
IGBT生產(chǎn)線、山東省電力電子器件工程技術(shù)研究中心，并先后承擔(dān)過國家發(fā)改委新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)項(xiàng)目、工信部電子發(fā)展基金項(xiàng)目等多項(xiàng)國家和省部級(jí)項(xiàng)目。
南京銀茂微電子制造有限公司成立于2007年11月，是江蘇銀茂（控股）集團(tuán)有限公司控股公司。官網(wǎng)介紹稱，該公司一期項(xiàng)目以研發(fā)、制造和銷售擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新型電力電子模塊、全氣密半氣密高可靠性混合電路電子器件、大規(guī)模變流技術(shù)核心組件為主營業(yè)務(wù)，具備年產(chǎn)通用功率模塊65萬件和高壓大功率模塊10萬件以上的生產(chǎn)能力，是目前國內(nèi)[敏感詞]的電力電子功率模塊生產(chǎn)基地之一。
2019年6月14日，受江蘇省科技廳、南京市科技局委托，溧水區(qū)科技局組織銀茂微電子承擔(dān)的“江蘇省大功率IGBT模塊工程技術(shù)研究中心”項(xiàng)目通過驗(yàn)收。
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